FDP025N06参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDP025N06中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 395 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 265A

上升时间 324 ns

输入电容Ciss 14885pF @25VVds

额定功率Max 395 W

下降时间 250 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 395W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 15.38 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDP025N06

型号： FDP025N06

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP025N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0019 ohm, 10 V, 3.5 V

替代型号FDP025N06