FDMS4435BZ中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.015 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 39 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 9A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 2050pF @15VVds
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 39 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDMS4435BZ
型号： FDMS4435BZ
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS4435BZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -30 V, 0.015 ohm, -10 V, -1.9 V