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FDMS5672概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS5672 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 60 V, 0.0094 ohm, 20 V, 3.2 V

The is an UItraFET Trench® N-channel MOSFET combines characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. Optimized for RDS ON, low ESR, low total and Miller gate charge. It is ideal for high frequency DC to DC converters.

.: Low Miller charge

.: Optimized efficiency at high frequencies

FDMS5672中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 22.0 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.0094 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 3.2 V

输入电容 2.80 nF

栅电荷 45.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 10.6 A

输入电容Ciss 2800pF @30VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 78W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 0.75 mm

封装 Power-56

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDMS5672

型号： FDMS5672

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS5672 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 60 V, 0.0094 ohm, 20 V, 3.2 V

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替代型号FDMS5672

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FDMS5672 Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
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