FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8896 晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.5 V
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 9.4A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.0057Ω/Ohm @3.5A,10V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 1.2-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 80W Description & Applications| N-Channel PowerTrench ®MOSFET 30V, 94A, 5.7mΩ General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDSON and fast switching speed. Features • rDSON = 5.7mW, VGS = 10V, ID = 35A • rDSON= 6.8mW, VGS = 4.5V, ID = 35A • High performance trench technology for extremely low DSON • Low gate charge • High power and current handling capability 描述与应用| N-沟道PowerTrench®MOSFET 30V,94A,5.7mΩ 概述 这N沟道MOSFET已专门设计 提高整体效率的DC / DC转换器 同步或传统开关PWM 控制器。它已被优化的低门电荷,低 RDS(ON)和快速开关速度。 •高性能沟道技术极低 DS(ON) •低栅极电荷 •高功率和电流处理能力
额定电压DC 30.0 V
额定电流 94.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.0047 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 80 W
阈值电压 2.5 V
输入电容 2.52 nF
栅电荷 46.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 94.0 A
上升时间 106 ns
输入电容Ciss 2525pF @15VVds
额定功率Max 80 W
下降时间 41 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 80W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDD8896 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD6682 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD8896和FDD6682的区别 |
FDD8896_F085 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD8896和FDD8896_F085的区别 |
FDD6606 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD8896和FDD6606的区别 |