FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS7650 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0008 ohm, 10 V, 1.9 V
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A, Semiconductor
欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS7650, 232 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
贸泽:
MOSFET 30/20V N-Chan PowerTrench
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin Power 56 T/R
富昌:
FDMS7650 系列 N 沟道 30 V 0.99 mOhm Power Trench Mosfet - POWER-56-8
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 36A 8-Pin Power 56 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin Power 56 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS7650 MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 30 V, 0.0008 ohm, 10 V, 1.9 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V POWER56
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V POWER56
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 14965pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 104W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDMS7650 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BSC011N03LSATMA1 英飞凌 | 功能相似 | FDMS7650和BSC011N03LSATMA1的区别 |