FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS3672 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It is suitable for high voltage synchronous rectifier, DC-to-DC converters and off-line UPS, distributed power architectures and VRMs, primary switch for 24 and 48V systems.
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- Low miller charge
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- Low QRR body diode
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- Optimized efficiency at high frequencies
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- UIS Capability single pulse and repetitive pulse
额定电压DC 100 V
额定电流 7.50 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 4 V
输入电容 2.01 nF
栅电荷 28.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.50 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 2015pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS3672 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF7495PBF 英飞凌 | 功能相似 | FDS3672和IRF7495PBF的区别 |
FDS3672_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDS3672和FDS3672_NL的区别 |