FDP054N10中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0046 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 263 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 144A
输入电容Ciss 13280pF @25VVds
额定功率Max 263 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 263W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 15.38 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDP054N10
型号： FDP054N10
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP054N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0046 ohm, 10 V, 3.5 V