FDR6674A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 11.5 A
漏源极电阻 8.20 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.8W Ta
输入电容 5.07 nF
栅电荷 33.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 11.5 A
上升时间 18.0 ns
输入电容Ciss 5070pF @15VVds
额定功率Max 900 mW
耗散功率Max 1.8W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-8
外形尺寸
封装 SMD-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDR6674A
型号： FDR6674A
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET