FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6682 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 7.5 mohm, 10 V, 1.7 V
N-Channel 30 V 14A Ta 1W Ta Surface Mount 8-SOIC
得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
贸泽:
MOSFET SO-8
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
FDS6682 系列 N 沟道 30 V 7.5 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6682 MOSFET Transistor, N Channel, 14 A, 30 V, 7.5 mohm, 10 V, 1.7 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
额定电压DC 30.0 V
额定电流 14.0 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 2.31 nF
栅电荷 22.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 2310pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS6682 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4162DY-T1-GE3 威世 | 功能相似 | FDS6682和SI4162DY-T1-GE3的区别 |
IRF8714PBF 国际整流器 | 功能相似 | FDS6682和IRF8714PBF的区别 |
IRF8721PBF 国际整流器 | 功能相似 | FDS6682和IRF8721PBF的区别 |