FDFME3N311ZT中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.299 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 1.60 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 75pF @15VVds
额定功率Max 600 mW
下降时间 1.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.4W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 MicroFET-6
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.55 mm
封装 MicroFET-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDFME3N311ZT
型号： FDFME3N311ZT
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFME3N311ZT 场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6A, 30V