FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS3572.. 场效应管, MOSFET, N沟道
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It is suitable for use in primary switch for isolated DC-to-DC converters, high voltage synchronous rectifier for DC bus converters, distributed power and intermediate bus architectures.
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- Low miller charge
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- Low QRR body diode
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- Optimized efficiency at high frequencies
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- UIS Capability single pulse and repetitive pulse
额定电压DC 80.0 V
额定电流 8.90 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.99 nF
栅电荷 31.0 nC
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 8.90 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1990pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS3572 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS3572_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDS3572和FDS3572_NL的区别 |