FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8978 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.5 V
The is a dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS ON and fast switching speed.
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- Low gate charge
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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- ±20V Gate to source voltage
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- 7.5A Continuous drain current
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- 49A Pulsed drain current
针脚数 8
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.50 A
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 1270pF @15VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1600 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS8978 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STS8DNF3LL 意法半导体 | 功能相似 | FDS8978和STS8DNF3LL的区别 |
STS9D8NH3LL 意法半导体 | 功能相似 | FDS8978和STS9D8NH3LL的区别 |