PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel 30 V 13.5A Ta, 22A Tc 2.5W Ta, 29W Tc Surface Mount 8-PQFN 5x6
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS7698 MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0081OHM, 22A, POWER 56-8
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin Power 56 EP T/R
富昌:
N-Channle 30 V 22 A 10 mohm Surface Mount PowerTrench Mosfet - Power 56
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin Power 56 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin Power 56 EP T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS7698 MOSFET Transistor, N Channel, 22 A, 30 V, 0.0081 ohm, 10 V, 2 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0081 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 29 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 13.5A
输入电容Ciss 1605pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 29W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15