FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8025S 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.7 V
N-Channel 30 V 24A Ta, 49A Tc 2.5W Ta, 50W Tc Surface Mount 8-PQFN 5x6
得捷:
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
欧时:
### PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8025S 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.7 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin Power 56 EP T/R
富昌:
FDMS8025S系列 N沟道 30 V 2.8 mOhm Power Trench MosFet - POWER-56-8
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin MLP EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V POWER56
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V POWER56
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0022 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 24A
输入电容Ciss 3000pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDMS8025S Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BSC0902NSATMA1 英飞凌 | 功能相似 | FDMS8025S和BSC0902NSATMA1的区别 |
BSC0902NSIATMA1 英飞凌 | 功能相似 | FDMS8025S和BSC0902NSIATMA1的区别 |