FDMS8025S

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FDMS8025S概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS8025S  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.7 V

N-Channel 30 V 24A Ta, 49A Tc 2.5W Ta, 50W Tc Surface Mount 8-PQFN 5x6


得捷:
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN


欧时:
### PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS8025S  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.7 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin Power 56 EP T/R


富昌:
FDMS8025S系列 N沟道 30 V 2.8 mOhm Power Trench MosFet - POWER-56-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin MLP EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V POWER56


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V POWER56


FDMS8025S中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0022 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 24A

输入电容Ciss 3000pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-56-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDMS8025S
型号: FDMS8025S
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS8025S  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.7 V
替代型号FDMS8025S
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDMS8025S

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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