FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA1029PZ 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3.1 A, -20 V, 0.06 ohm, -1 V, 1 V
PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET, Semiconductor
PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
欧时:
Fairchild Semiconductor 双 P沟道 MOSFET 晶体管 FDMA1029PZ, 3.1 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
贸泽:
MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET EP T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET EP T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA1029PZ Dual MOSFET, Dual P Channel, -3.1 A, -20 V, 95 mohm, -1 V, 12 V
Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFET
DeviceMart:
IC MOSFET P-CH DUAL MICROFET 2X2
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -3.10 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.06 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.4 W
阈值电压 12 V
输入电容 540 pF
栅电荷 10.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 3.10 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 540pF @10VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 36 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WDFN-6
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 WDFN-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDMA1029PZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDMA1027PT 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDMA1029PZ和FDMA1027PT的区别 |