FDP8860

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FDP8860中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 80.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 2.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 254 W

阈值电压 1.6 V

输入电容 12.2 nF

栅电荷 222 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 135 ns

输入电容Ciss 12240pF @15VVds

额定功率Max 254 W

下降时间 59 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 254W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDP8860
型号: FDP8860
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP8860  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.5 mohm, 10 V, 1.6 V
替代型号FDP8860
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDP8860

Fairchild 飞兆/仙童

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飞兆/仙童

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