P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.054Ω @-4A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.6W Description & Applications| • Rugged gate rating ±12V. • High performance trench technology for extremely low RDSON • SuperSOT TM-6 package: small footprint 72% smaller than standard SO-8; low profile 1mm thick. 描述与应用| •坚固的门评级（±12V）。 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •的SuperSOT TM-6包装：占地面积小（小72％ 比标准的SO-8）;低调（1mm厚）
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -4.00 A
针脚数 6
漏源极电阻 0.045 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.6 W
输入电容 640 pF
栅电荷 7.20 nC
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 19.0 ns
输入电容Ciss 925pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99