FDD8445参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDD8445概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8445 晶体管, MOSFET, N沟道, 15.2 A, 40 V, 6.7 mohm, 10 V, 2.8 V

The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It is suitable for electronic transmission, distributed power architecture and VRMs applications.

.: Low miller charge

.: Low Qrr body diode

.: UIS Capability single pulse and repetitive pulse

FDD8445中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0067 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 79 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 15.2 A

上升时间 82 ns

输入电容Ciss 4050pF @25VVds

额定功率Max 79 W

下降时间 9.6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 79W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDD8445

型号： FDD8445

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8445 晶体管, MOSFET, N沟道, 15.2 A, 40 V, 6.7 mohm, 10 V, 2.8 V

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替代型号FDD8445

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FDD8445 Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FDD8445_F085 飞兆/仙童	类似代替	FDD8445和FDD8445_F085的区别
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