PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
The is a SyncFET™ N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It is designed to replace a single MOSFET and Schottky diode in synchronous DC-to-DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS ON and low gate charge. It includes an integrated Schottky diode using Fairchild"s monolithic SyncFET technology. The performance is as the low-side switch in a synchronous rectifier is indistinguishable from the performance in parallel with a Schottky diode.
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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- High power and current handling capability
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- 21nC Typical low gate charge
额定电压DC 30.0 V
额定电流 55.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.0105 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 60 mW
阈值电压 1.4 V
输入电容 1.20 nF
栅电荷 21.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 55.0 A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 1200pF @15VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDD6680AS Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD6680S 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDD6680AS和FDD6680S的区别 |
STD40NF3LLT4 意法半导体 | 功能相似 | FDD6680AS和STD40NF3LLT4的区别 |