FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA430NZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.0236 ohm, 4.5 V, 810 mV
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A， Semiconductor
### MOSFET ，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
针脚数 6
漏源极电阻 0.0236 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 900 mW
阈值电压 810 mV
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 7.1 ns
输入电容Ciss 800pF @10VVds
额定功率Max 2.4 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.4W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WDFN-6
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 WDFN-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDMA430NZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLHS6342TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | FDMA430NZ和IRLHS6342TRPBF的区别 |