FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA420NZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 20 V, 16.8 mohm, 4.5 V, 830 mV
The is a single N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process to optimize the RDS ON at VGS=2.5V on special MicroFET lead-frame. It is suitable for use in Li-ion battery pack.
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- Halogen-free
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- >2.5kV Typical HBM ESD protection level
针脚数 6
漏源极电阻 16.8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.4 W
阈值电压 830 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 5.70 A
上升时间 8.6 ns
输入电容Ciss 935pF @10VVds
额定功率Max 2.4 W
下降时间 8.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.4 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WDFN-6
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 WDFN-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDMA420NZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLHS6242TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | FDMA420NZ和IRLHS6242TRPBF的区别 |