FDP3632

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FDP3632概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

Features

• rDSON = 7.5mΩ Typ., VGS = 10V, ID = 80A

• Qgtot = 84nC Typ., VGS = 10V

• Low Miller Charge

• Low QRR Body Diode

• UIS Capability Single Pulse and Repetitive Pulse

• Qualified to AEC Q101

Applications

• DC/DC converters and Off-Line UPS

• Distributed Power Architectures and VRMs

• Primary Switch for 24V and 48V Systems

• High Voltage Synchronous Rectifier

• Direct Injection / Diesel Injection Systems

• 42V Automotive Load Control

• Electronic Valve Train Systems

FDP3632中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 44.0 A

通道数 1

漏源极电阻 0.0075 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 310 W

阈值电压 4 V

输入电容 6.00 nF

栅电荷 84.0 nC

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 39 ns

输入电容Ciss 6000pF @25VVds

额定功率Max 310 W

下降时间 46 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDP3632
型号: FDP3632
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDP3632
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDP3632

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

STP80NF10

意法半导体

功能相似

FDP3632和STP80NF10的区别

STP120NF10

意法半导体

功能相似

FDP3632和STP120NF10的区别

IRFZ14PBF

威世

功能相似

FDP3632和IRFZ14PBF的区别

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