PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Features
• rDSON = 7.5mΩ Typ., VGS = 10V, ID = 80A
• Qgtot = 84nC Typ., VGS = 10V
• Low Miller Charge
• Low QRR Body Diode
• UIS Capability Single Pulse and Repetitive Pulse
• Qualified to AEC Q101
Applications
• DC/DC converters and Off-Line UPS
• Distributed Power Architectures and VRMs
• Primary Switch for 24V and 48V Systems
• High Voltage Synchronous Rectifier
• Direct Injection / Diesel Injection Systems
• 42V Automotive Load Control
• Electronic Valve Train Systems
额定电压DC 100 V
额定电流 44.0 A
通道数 1
漏源极电阻 0.0075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 310 W
阈值电压 4 V
输入电容 6.00 nF
栅电荷 84.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 39 ns
输入电容Ciss 6000pF @25VVds
额定功率Max 310 W
下降时间 46 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDP3632 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STP80NF10 意法半导体 | 功能相似 | FDP3632和STP80NF10的区别 |
STP120NF10 意法半导体 | 功能相似 | FDP3632和STP120NF10的区别 |
IRFZ14PBF 威世 | 功能相似 | FDP3632和IRFZ14PBF的区别 |