FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB7030BL 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 60A TO-263AB, 整卷
N-Channel 30V 60A Ta 60W Tc Surface Mount TO-263AB
得捷:
60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,
立创商城:
N沟道 30V 60A
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
FDB7030BL 系列 30 V 9 mOhms N 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet TO-263AB
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB7030BL MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1.9 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
额定电压DC 30.0 V
额定电流 60.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.009 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 65 W
阈值电压 1.9 V
输入电容 1.76 nF
栅电荷 17.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1760pF @15VVds
额定功率Max 60 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 60W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FDB7030BL Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF3707ZSPBF 英飞凌 | 功能相似 | FDB7030BL和IRF3707ZSPBF的区别 |
STB95N3LLH6 意法半导体 | 功能相似 | FDB7030BL和STB95N3LLH6的区别 |
FDB7030BL_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDB7030BL和FDB7030BL_NL的区别 |