FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8880 晶体管, MOSFET, N沟道, 54 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2.5 V
The is a PowerTrench® N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS ON and fast-switching speed.
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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- Low gate charge
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- High power and current handling capability
额定电压DC 30.0 V
额定电流 54.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.0095 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 55 W
阈值电压 2.5 V
输入电容 1.24 nF
栅电荷 22.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 54.0 A
上升时间 107 ns
输入电容Ciss 1240pF @15VVds
额定功率Max 55 W
下降时间 51 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 55 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB8880 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDB6030L 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDB8880和FDB6030L的区别 |
FDB6035AL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDB8880和FDB6035AL的区别 |
ISL9N310AS3ST 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDB8880和ISL9N310AS3ST的区别 |