FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC640P 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.039 ohm, -4.5 V, -1 V
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -4.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.037Ω @-4.5A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.6--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.6W Description & Applications| • Rugged gate rating ±12V. • High performance trench technology for extremely low RDSON • SuperSOT TM-6 package: small footprint 72% smaller than standard SO-8; low profile 1mm thick. 描述与应用| •坚固的门评级（±12V）。 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •的SuperSOT TM-6包装：占地面积小（小72％ 比标准的SO-8）;低调（1mm厚）
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -4.50 A
针脚数 6
漏源极电阻 0.039 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 1 V
输入电容 890 pF
栅电荷 9.00 nC
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 4.50 mA
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 890pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDC640P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDC640P_F095 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDC640P和FDC640P_F095的区别 |
SI3469DV-T1-E3 Vishay Siliconix | 功能相似 | FDC640P和SI3469DV-T1-E3的区别 |
FDC602P 安森美 | 功能相似 | FDC640P和FDC602P的区别 |