FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC653N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 35 mohm, 10 V, 1.7 V
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.035Ω/Ohm @5999mA,10V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 1-2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.6W Description & Applications| N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 5 A, 30 V. RDSON = 0.035 W @ VGS= 10 V RDSON= 0.055 W @ VGS= 4.5 V. Proprietary SuperSOTTM -6 package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDSON .Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. 描述与应用| N沟道增强型场效应 •低栅极电荷 •开关速度快 •高性能沟道技术极 低RDS(ON) •高功率和电流处理能力
额定电压DC 30.0 V
额定电流 5.00 A
针脚数 6
漏源极电阻 35 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 350 pF
栅电荷 12.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 350pF @15VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDC653N Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
NTGS4141NT1G 安森美 | 功能相似 | FDC653N和NTGS4141NT1G的区别 |
SI3456DDV-T1-GE3 威世 | 功能相似 | FDC653N和SI3456DDV-T1-GE3的区别 |
PMN40LN,135 恩智浦 | 功能相似 | FDC653N和PMN40LN,135的区别 |