FDP42AN15A0

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FDP42AN15A0中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 35.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.042 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 4 V

输入电容 2.15 nF

栅电荷 30.0 nC

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 2150pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDP42AN15A0
型号: FDP42AN15A0
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP42AN15A0  晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 12 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 V
替代型号FDP42AN15A0
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDP42AN15A0

Fairchild 飞兆/仙童

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当前型号

IRFZ14PBF

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