FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC658P 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -30 V, 0.041 ohm, -10 V, -1.7 V
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.041Ω @-4A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--3V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.6W Description & Applications| • Rugged gate rating ±12V. • High performance trench technology for extremely low RDSON • SuperSOT TM-6 package: small footprint 72% smaller than standard SO-8; low profile 1mm thick. 描述与应用| •坚固的门评级（±12V）。 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •的SuperSOT TM-6包装：占地面积小（小72％ 比标准的SO-8）;低调（1mm厚）
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -4.00 A
针脚数 6
漏源极电阻 0.041 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.6 W
输入电容 750 pF
栅电荷 8.00 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 -30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -4.00 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 750pF @15VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDC658P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDC638P 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDC658P和FDC638P的区别 |
FDC654P 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDC658P和FDC654P的区别 |
ZXMP3A17E6TA 美台 | 功能相似 | FDC658P和ZXMP3A17E6TA的区别 |