FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8647L 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 0.0071 ohm, 10 V, 2 V
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary PowerTrench® technology to deliver low RDS ON and optimized BVDSS capability to offer superior performance benefit in the application.
针脚数 3
漏源极电阻 0.0071 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 43 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 14A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1640pF @20VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 43W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FDD8647L Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
SUD50N04-8M8P-4GE3 威世 | 功能相似 | FDD8647L和SUD50N04-8M8P-4GE3的区别 |
BUK7208-40B,118 恩智浦 | 功能相似 | FDD8647L和BUK7208-40B,118的区别 |
BUK9209-40B,118 恩智浦 | 功能相似 | FDD8647L和BUK9209-40B,118的区别 |