FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8832 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 30 V, 1.5 mohm, 20 V, 1.6 V
The is a logic level N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It is suitable for use in starter/alternator systems, electronic power steering systems and DC-to-DC converters.
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- Low miller charge
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- Low Qrr body diode
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- UIS Capability single pulse and repetitive pulse
通道数 1
针脚数 2
漏源极电阻 1.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 1.6 V
输入电容 11.4 nF
栅电荷 265 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 73 ns
输入电容Ciss 11400pF @15VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 38 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB8832 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDB8832_F085 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDB8832和FDB8832_F085的区别 |
SPB80N03S2-03 英飞凌 | 功能相似 | FDB8832和SPB80N03S2-03的区别 |