FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC3612 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 100 V, 125 mohm, 10 V, 2.3 V
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A， Semiconductor
欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDC3612, 2.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SuperSOT T/R
富昌:
FDC3612 系列 100 V 125 mOhms N 沟道 PowerTrench Mosfet SSOT-6
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SuperSOT T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SuperSOT T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC3612 MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 100 V, 125 mohm, 10 V, 2.3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6
额定电压DC 100 V
额定电流 2.60 A
针脚数 6
漏源极电阻 125 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 2.3 V
输入电容 660 pF
栅电荷 14.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.60 A
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 660pF @50VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 3.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDC3612 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDC3612_F095 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDC3612和FDC3612_F095的区别 |