FDD6N25TM中文资料参数规格
技术参数
额定功率 50 mW
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.9 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 5 V
输入电容 250 pF
栅电荷 6.00 nC
漏源极电压Vds 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.40 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 250pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDD6N25TM
型号： FDD6N25TM
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6N25TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 250 V, 0.9 ohm, 10 V, 5 V
替代型号FDD6N25TM
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD6N25TM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD6N25TF 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD6N25TM和FDD6N25TF的区别 |