FDB8860

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FDB8860中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.6 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 254 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 31.0 A

上升时间 213 ns

输入电容Ciss 12585pF @15VVds

额定功率Max 254 W

下降时间 49 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 254 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 11.33 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDB8860
型号: FDB8860
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB8860  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 30 V, 1.6 mohm, 10 V, 1.7 V
替代型号FDB8860
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDB8860

Fairchild 飞兆/仙童

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FDB8860_F085

飞兆/仙童

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