FDS9926A

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FDS9926A概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9926A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V

The is a 20V Dual N-channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. "s the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge QG, small reverse recovery charge Qrr and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM figure of merit QGxRDSON of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.

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Optimized for use in battery protection circuits
FDS9926A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 6.50 A

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.025 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1 V

输入电容 650 pF

栅电荷 6.20 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±10.0 V

连续漏极电流Ids 6.50 A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 650pF @10VVds

额定功率Max 900 mW

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买FDS9926A
型号: FDS9926A
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9926A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
替代型号FDS9926A
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Fairchild 飞兆/仙童

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