FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS2572 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 150 V, 0.04 ohm, 10 V, 4 V
The is an UltraFET® Trench N-channel MOSFET combines characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. Optimized for RDS ON, low ESR, low total and Miller gate charge. It is ideal for high frequency DC to DC converters, 48V I/P half-bridge/full-bridge, 24V forward and push-pull topologies.
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- Low QRR body diode
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- Maximized efficiency at high frequencies
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- UIS Rated
额定电压DC 150 V
额定电流 4.90 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.04 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 4 V
输入电容 2.05 nF
栅电荷 29.0 nC
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 4.90 A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 2050pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS2572 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF7815PBF 英飞凌 | 功能相似 | FDS2572和IRF7815PBF的区别 |
STL65N3LLH5 意法半导体 | 功能相似 | FDS2572和STL65N3LLH5的区别 |