FDB8445参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDB8445中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 70.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 6.8 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 92 W

阈值电压 2.5 V

输入电容 3.80 nF

栅电荷 62.0 nC

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 70.0 A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 3805pF @25VVds

额定功率Max 92 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 92W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.97 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDB8445

型号： FDB8445

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8445 场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 0.0068Ω, 70A, TO-263AB-3

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替代型号FDB8445

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FDB8445 Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FDB8445_F085 飞兆/仙童	类似代替	FDB8445和FDB8445_F085的区别
PHB191NQ06LT,118 恩智浦	功能相似	FDB8445和PHB191NQ06LT,118的区别
BUK764R0-55B,118 恩智浦	功能相似	FDB8445和BUK764R0-55B,118的区别