FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8444 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 40 V, 0.004 ohm, 10 V, 2.5 V
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It is suitable for electronic transmission, distributed power architecture and VRMs applications.
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- Low miller charge
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- Low Qrr body diode
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- UIS Capability single pulse and repetitive pulse
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- Qualified to AEC-Q101
针脚数 3
漏源极电阻 0.004 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 153 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 17.5 A
上升时间 78 ns
输入电容Ciss 6195pF @25VVds
额定功率Max 153 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 153W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDD8444 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BUK625R0-40C,118 恩智浦 | 功能相似 | FDD8444和BUK625R0-40C,118的区别 |
BUK7208-40B,118 恩智浦 | 功能相似 | FDD8444和BUK7208-40B,118的区别 |