FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8447L 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 8.5 mohm, 20 V, 1.9 V
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary PowerTrench® technology to deliver low RDS ON and optimized BVDSS capability to offer superior performance benefit in the application.
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- Fast-switching
针脚数 2
漏源极电阻 0.0085 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 2620pF @20VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB8447L Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDB8453LZ 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDB8447L和FDB8453LZ的区别 |