FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6680A 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2 V
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 12.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 13mΩ@ VGS = 4.5V, ID =10.5A 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 1~3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2.5W Description & Applications| Single N-Channel, Logic Level, Power Trench MOSFET General Description This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Semiconductor’s advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. Features • Ultra-low gate charge • High performance trench technology for extremely low RDSON • High power and current handling capability 描述与应用| 单N沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET 概述 这N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程,已特别是针对减少通态电阻,同时保持出色的开关性能。 这些器件非常适合于低电压和电池供电应用的低线的功率损耗和快速开关是必需的。 特点 •超低栅极电荷 •高性能沟道技术极低的RDS(ON) •高功率和电流处理能力
额定电压DC 30.0 V
额定电流 12.5 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.0095 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 12.5 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1620pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDS6680A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS7760A 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDS6680A和FDS7760A的区别 |
STS11NF30L 意法半导体 | 功能相似 | FDS6680A和STS11NF30L的区别 |
SI4162DY-T1-GE3 威世 | 功能相似 | FDS6680A和SI4162DY-T1-GE3的区别 |