FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8778 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 25 V, 0.0116 ohm, 10 V, 1.5 V
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, fast switching speed and extremely low RDS ON.
- .
- Low gate charge
- .
- Low gate resistant
额定电压DC 25.0 V
额定电流 35.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.0116 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 39 W
阈值电压 1.5 V
输入电容 845 pF
栅电荷 18.0 nC
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 845pF @13VVds
额定功率Max 39 W
下降时间 32 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 39 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD8778 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD8750 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD8778和FDD8750的区别 |
IPD135N03L G 英飞凌 | 功能相似 | FDD8778和IPD135N03L G的区别 |
FDU8778 安森美 | 功能相似 | FDD8778和FDU8778的区别 |