FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC658AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 4 A, -30 V, 0.044 ohm, -10 V, -1.8 V
The is a logic level single P-channel MOSFET produced using "s advanced PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management, load switch and DC-to-DC conversion applications.
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- Low gate charge
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
额定功率 1.6 W
针脚数 6
漏源极电阻 0.044 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 mA
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 470pF @15VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDC658AP Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDC655BN 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDC658AP和FDC655BN的区别 |
SI3457DV 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDC658AP和SI3457DV的区别 |
NTUD3170NZT5G 安森美 | 功能相似 | FDC658AP和NTUD3170NZT5G的区别 |