FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9431A 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -600 mV
The is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using "s proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is suitable for DC-to-DC converter, load switch and battery protection.
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- Fast switching speed
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- High density cell design for extremely low RDS ON
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- High power and current handling capability
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -3.50 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 130 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 405 pF
栅电荷 6.00 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids -3.50 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 405pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS9431A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF7425TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | FDS9431A和IRF7425TRPBF的区别 |
IRF7425PBF 英飞凌 | 功能相似 | FDS9431A和IRF7425PBF的区别 |
SI4463CDY-T1-GE3 威世 | 功能相似 | FDS9431A和SI4463CDY-T1-GE3的区别 |