FDMS86105概述
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86105 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 100 V, 0.027 ohm, 10 V, 2.8 V
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A， Semiconductor
### MOSFET ，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
FDMS86105中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.027 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 48 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 2.1 ns
输入电容Ciss 483pF @50VVds
下降时间 2.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 48W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDMS86105
型号： FDMS86105
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86105 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 100 V, 0.027 ohm, 10 V, 2.8 V