FDFMA3N109

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FDFMA3N109概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDFMA3N109  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 30 V, 0.075 ohm, 1 V, 1 V

* MOSFET 2.9 A, 30 V * R DSON = 123 m Ω @ V GS = 4.5 V * R DSON = 140 m Ω @ V GS = 3.0 V * R DSON = 163 m Ω @ V GS = 2.5 V * Schottky * VF * Low profile – 0.8 mm maximum – in the new package MicroFET 2x2 mm * RoHS Compliant


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDFMA3N109  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 30 V, 0.075 ohm, 1 V, 1 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin MicroFET EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin MicroFET T/R


富昌:
N-Channel 30 V 123 mOhm Integrated PowerTrench® Mosfet - MicroFET 2x2


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin MicroFET EP T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDFMA3N109  MOSFET Transistor, N Channel + Schottky, 2.9 A, 30 V, 0.075 ohm, 4.5 V, 1 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2


FDFMA3N109中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 2.90 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.075 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.5 W

阈值电压 1 V

输入电容 200 pF

栅电荷 3.00 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 2.90 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 220pF @15VVds

额定功率Max 650 mW

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 WDFN-6

外形尺寸

封装 WDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDFMA3N109
型号: FDFMA3N109
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDFMA3N109  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 30 V, 0.075 ohm, 1 V, 1 V

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