FDC2612

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC2612  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.1 A, 200 V, 0.605 ohm, 10 V, 4 V

PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A， Semiconductor

欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin SuperSOT T/R

富昌:
FDC2612 系列 200 V 725 mOhms N 沟道 PowerTrench Mosfet SSOT-6

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin SuperSOT T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6

Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin SuperSOT T/R

Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC2612  MOSFET Transistor, N Channel, 1.1 A, 200 V, 0.605 ohm, 10 V, 4 V

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6