FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6335N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V
PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET, Semiconductor
PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
### MOSFET ,Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
额定电压DC 20.0 V
额定电流 700 mA
针脚数 6
漏源极电阻 0.18 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 300 mW
阈值电压 1.1 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 700 mA
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 113pF @10VVds
额定功率Max 300 mW
下降时间 1.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.3 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDG6335N Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDG6301N 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDG6335N和FDG6301N的区别 |
SI1902DL-T1-E3 Vishay Siliconix | 功能相似 | FDG6335N和SI1902DL-T1-E3的区别 |