FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6912 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 2 V
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 6A Ta 2W Ta Surface Mount 8-SOIC
得捷:
6A, 30V, 0.028OHM, 2-ELEMENT, N
立创商城:
2个N沟道 30V 6A
e络盟:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6912 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 2 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
FDS6912 系列 30 V 28 mOhm 双 N 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet-SOIC-8
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6912 Dual MOSFET, Dual N Channel, 6 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 2 V
Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.028 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 740pF @15VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
宽度 4 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDS6912 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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