SupreMOS® MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比,其低 RDS(接通)和总栅极电荷让品质因素 FOM 降低了 40%。 此外,SupreMOS 系列为相同的 RDS(接通)提供低栅极电荷,提供极佳的切换性能,切换和传导损耗降低 20%,从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Description
The SupreMOS MOSFET, ’s next generation of high voltage super-junction MOSFETs,employs a deep trench filling process that differentiates it from preceding multi-epi based technologies. By utilizing this advanced technology and precise process control, SupreMOS provides world class Rsp, superior switching performance and ruggedness. This SupreMOS MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power, and industrial power applications.
Features
•RDSon = 0.255Ω Typ.@ VGS= 10V, ID= 5.4A
• Ultra Low Gate Charge Typ. Qg = 27.4nC
• Low Effective Output Capacitance
• 100% Avalanche Tested
• RoHS Compliant
通道数 1
漏源极电阻 0.255 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 32.1 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 10.8A
上升时间 9.1 ns
输入电容Ciss 1505pF @100VVds
额定功率Max 32.1 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 32.1W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.16 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15