FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9435A 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.3 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1.7 V
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| -25V 最大漏极电流IdDrain Current| -5.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 80mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -4A 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -1~-3V 耗散功率PdPower Dissipation| 2.5W Description & Applications| 30V P-Channel Power Trench MOSFET General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Semiconductor’s advanced Power Trench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings 4.5V – 25V. Applications • Power management • Load switch • Battery protection Features • Low gate charge • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low RDSON • High power and current handling capability 描述与应用| 30V P沟道功率沟槽MOSFET 概述 P沟道MOSFET是一种坚固的门版本飞兆半导体先进的功率沟槽过程。它已被优化需要给驱动器的额定电压(4.5V - 25V)的范围广泛的电源管理应用。 应用 •电源管理 •负荷开关 •电池保护 特点 •低栅极电荷 •开关速度快 •高性能沟道技术极低的RDS(ON) •高功率和电流处理能力
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -5.30 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.042 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 528 pF
栅电荷 10.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids -5.30 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 528pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDS9435A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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