FCP11N60F

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FCP11N60F概述

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

Description

SuperFET™ is, Farichild’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET is very suitable for various AC/DC power conversion in switching mode operation for system miniaturization and higher efficiency.

Features

• 650V @TJ= 150°C

•Typ. RDSon= 0.32Ω

• Fast Recovery Type trr= 120ns

• Ultra Low Gate Charge typ. Qg = 40nC

• Low Effective Output Capacitance typ. Coss eff.=95pF

• 100% avalanche tested

FCP11N60F中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 30.0V max

额定电压DC 600 V

额定电流 11.0 A

输出接口数 1

漏源极电阻 0.38 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

静态电流 100 µA

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 98 ns

输入电容Ciss 1490pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 56 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FCP11N60F
型号: FCP11N60F
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FCP11N60F
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FCP11N60F

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

STP13NM60N

意法半导体

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STP20NM60

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STP20NM60FD

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